SK hynix 介绍
公司简介
SK海力士，前身为1983年成立的现代电子产业株式会社，1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年从现代集团分离出来，更名为(株)海力士半导体。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。
SK海力士致力于生产以DRAM、NAND Flash & CIS非存储器为主的半导体产品。目前在韩国有1条8英寸晶圆生产线和2条12英寸生产线，在中国无锡有一条12英寸生产线。SK海力士是世界第二大DRAM制造商，并于2007年成长为世界第六大半导体企业。目前在世界各地设有销售法人和办事处。SK海力士稳固地立足于以DRAM和闪存为主的半导体存储器领域，通过产品种类多样化，包括涉足CIS商业领域等策略，正逐步成长为综合性的半导体设备供应商。
公司历程
1980's
1983.02
- 创立现代电子株式会社
1990's
1996.12
- 公司股票上市
1999.10
- 合并LG半导体，成立现代半导体株式会社
2000's
2001.03
- 公司更名为(株)海力士半导体
2001.08
- 完成与现代集团的最终剥离
2003.04
- 宣布与STMicroelectronics公司签定合作生产NAND闪存的协议
2003.12
- 宣布与茂德科技签署长期的战略性MOU
2004.07
- 获得公司成立以来最大的季度销售利润
2005.07
- 提前终止企业重组完善协议
2006.10
- 海力士-意法半导体竣工（无锡工厂）
2007.04
- 在韩国清州动土建造300mm fab
2007.03
- 任命Jong-Kap Kim作为新会长及执行总裁
2007.12
- 成功发行约6亿美元大规模海外债券
2008.05
- 宣布与台湾茂德科技签订全面合作合约
2008.08
- 清州300mm专用第3工场竣工
2009.02
- 成功开发世界顶尖44nmDDR3 DRAM
2010's
2010.06
- 中国海太半导体封装测试项目竣工
2010.09
- 入选道琼斯可持续发展世界指数
2011.07
- 与东芝签署MRAM联合开发协议
2012.02
- SK电讯收购海力士
2012.05
- 公司名称正式变更为SK海力士株式会社
2012.06
- 清州建立M12工厂
- 收购 Ideaflash S.r.l , 于欧洲建立闪存研发中心
- 与IBM签署联合开发PCRAM的协议
2013.02
- 朴星昱代表理事（CEO）就任
2013.11
- 建立16nm Nand Flash 量产体系
2013.12
- 成功开发世界最初的20nm LPDDR4
2014.01
- 2013年度经营业绩创新高
2014.04
- 成功开发世界最初的128GB DDR4 Module
