NAND Flash

SK hynix 于2004年 2月成功开发出以120nm技术为基础的512Mb MLC产品，并且在最短的时间内投入量产，继2012年开发20nm技术后，2013年成功开发16nm技术并投入量产。以最高水平的技术力与品质管理作为基础，正在生产SLC(Single Level Cell)、 MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell) 等Type的产品；QDP (Quad DIE Package)、 ODP (Octa DIE Package) 等 High Stack 产品；适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）等产品。

DRAM

SK hynix 在DRAM领域拥有业界最高水平的微细工艺技术，保证世界最高水平的DRAM稳定性，生产可以处理 High Speed Data的Graphic DRAM、适用于各种数码产品的Consumer DRAM、适用于PC、Notebook及服务器的Computing DRAM，适用于携带用Application的Mobile DRAM。

以2013年开发的25nm技术为基础，于2014年成功开发20nm技术的产品，通过不断进行创新性研究，保持业界最高的技术力量，保证客户对品质的要求。在设计阶段不仅考虑高性能（High Speed）、高容量（High Density），而且考虑低电力消耗，开发环保型产品，以环保型产品的开发和量产为目标引领产品的开发。